menuordersearch
digiyol.com

SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive , SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive ,

نا موجود
SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
کاربر گرامی در صورتی تمایل دارید ، هنگام تغییر وضعیت این کالا به شما اطلاع رسانی گردد. تظیمات را تکمیل نمایید.
اطلاع رسانی در وضعیت:



اطلاع رسانی از طریق:


اطلاع رسانی

 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
 SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
...
SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
(3)
(0)
SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
رنگ و مدل کالا
SAMSUNG 850 Evo 250GB 3D NAND Internal SSD Drive
تعداد عدد
قیمت کالا
0 تومان
مشخصات فنی
مشخصات فیزیکی
ابعاد6.8 * 70.1 * 100 ميليمتر
وزن 54.4 گرم
فرم فاکتور 2.5 اینچ
نوع فلش MLC
مشخصات فنی
ظرفیت 250 گیگابایت
نوع رابط SATA 6 Gb/s
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 97,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 88,000IOPS
کنترل کنندهSamsung MGX
سایر مشخصات
مقاوم در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
مقاوم در برابر خش
مقاوم در برابر شوک
میانگین عمر - MTBF 2.000.000 ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از Raid
مصرف برقدر حالت فعال 2.4 وات و در حالت Idle برابر 50 میلی‌ وات
شرح کالا

طراحی:

این درایو یک تغییر بسیار بزرگ در طراحی درایوهای SSD می باشد. در مدل های قبلی تلاش شده بود تا ترانزیستور های بسیار کوچک را به صورت افقی در یک ردیف قرار دهند تا جای کمتری را اشغال کنند، اما سامسونگ توانسته است ترانزیستور ها را به صورت افقی و عمودی کنار هم بگذارد.

این بدین معنی است که سامسونگ می تواند همان مقدار ترانزیستور را بدون اینکه نیاز باشد آن ها را کوچک کند در درایو کار بگذارد که باعث می شود دیگر نقص ها و مشکلاتی را که وقتی ترانزیستور های کوچک در یک فضای کوچک کار گذاشته می شدند را مشاهده نکنیم.

همچنین سامسونگ دیگر مجبور نیست از معماری 20 نانومتری استفاده کند و به جای آن می تواند از معماری 40 نانومتری استفاده کند که بسیار بهتر می باشد.

این درایو به خاطر اینکه از تراشه های حافظه TLC به جای MLC استفاده می کند قیمت بسیار پائین تری نیز دارد. این تراشه ها سه سلوله هستند، به این معنی که هر سلول داده می تواند 3 بیت داده را به جای دو بیت ذخیره کند. این انتخاب به این معنی است که می توانید داده های بیشتری را ذخیره کنید که باعث می شود هزینه های شما هم پائین تر باشد. البته این کاهش هزینه ممکن است به خاطر افزایش تراکم در هر سلول باعث کاهش عملکرد نیز بشود.

حافظه های 120، 250 و 500 گیگابایتی این مدل از کنترلر MGX سامسونگ استفاده می کنند که نسبت به کنترلر MEX که در مدل 1 ترابایتی و تمام درایوهای850 Pro استفاده شده است جدید تر است. تراشه استفاده شده در این مدل به جای سه هسته دو هسته دارد که به نظر کمتر می آید، اما سامسونگ نظر دیگری دارد. سامسونگ ادعا می کند که این پردازنده دوهسته ای مصرف انرژی کمتری دارد و به خاطر اینکه این درایو از تراشه های کوچک تری استفاده می کند دیگر نیازی به هسته سوم ندارد.

عملکرد:

مدل Evo هیچ وقت نمی تواند مدل Pro را در بحث سرعت شکست دهد اما شاید جالب باشد که بدانید مدل 250 گیگابایتی Evo توانست در بیشتر تست ها با مدل 500 گیگابایتی Pro رقابت کند.

در تست سرعت خواندن و نوشتن پی در پی مدل EVO توانست به ترتیب سرعت 510 مگابایت بر ثانیه و 499 مگابایت بر ثانیه را ثبت کند که سرعت خواندن آن  17 مگابایت بر ثانیه از 850 PRO کندتر می باشد اما فقط 3 مگابایت برثانیه از سرعت 850 Pro کندتر می باشد.

عملکرد این درایو در خواندن و نوشتن فایل های کوچک هم بسیار فوق العاده است. در تست خواندن فایل های 4 کیلوبایتی این درایو توانست سرعت 43 مگابایت بر ثانیه را ثبت کند که از مدل Pro سریع تر بود و سرعت 96 مگابایت برثانیه این درایو هم زیاد کندتر از مدل Pro نبود.

نظرات کاربران
*نام و نام خانوادگی
* پست الکترونیک
* متن پیام

بستن
*نام و نام خانوادگی
* پست الکترونیک
* متن پیام

0 نظر